YFW2302W

Symbol Micros: TDMG1012uw c
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT323
SOT-323 MOSFETs ROHS YFW2302W; DMG1012UW-7;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 60mOhm
Maksymalny prąd drenu: 2,1A
Maksymalna tracona moc: 350mW
Obudowa: SOT323
Producent: YFW
Maksymalne napięcie dren-źródło: 20V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: YFW Symbol producenta: YFW2302W RoHS Obudowa dokładna: SOT323 t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,4600 0,2110 0,1150 0,0858 0,0766
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Rezystancja otwartego kanału: 60mOhm
Maksymalny prąd drenu: 2,1A
Maksymalna tracona moc: 350mW
Obudowa: SOT323
Producent: YFW
Maksymalne napięcie dren-źródło: 20V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 8V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD