DMG1013T-7 Diodes
Symbol Micros:
TDMG1013T-7
Obudowa: SOT523
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 6V; 1,3Ohm; 460mA; 270mW; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 1,3Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 460mA |
| Maksymalna tracona moc: | 270mW |
| Obudowa: | SOT523 |
| Producent: | DIODES |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: DMG1013T-7 RoHS PA1.
Obudowa dokładna: SOT523
karta katalogowa
Stan magazynowy:
8580 szt.
| ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,8090 | 0,3840 | 0,2160 | 0,1640 | 0,1470 |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: DMG1013T-7 RoHS PA1.
Obudowa dokładna: SOT523
karta katalogowa
Stan magazynowy:
420 szt.
| ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,8090 | 0,3840 | 0,2160 | 0,1640 | 0,1470 |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: DMG1013T-7
Obudowa dokładna: SOT523
Magazyn zewnętrzny:
792000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,1470 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 1,3Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 460mA |
| Maksymalna tracona moc: | 270mW |
| Obudowa: | SOT523 |
| Producent: | DIODES |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 6V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |