DMG2301L-7
Symbol Micros:
TDMG2301L
Obudowa: SOT23
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 150mOhm; 3A; 1,5W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: DMG2301L-13;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 150mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 3A |
Maksymalna tracona moc: | 1,5W |
Obudowa: | SOT23 |
Producent: | DIODES |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
Typ tranzystora: | P-MOSFET |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: DMG2301L-7 RoHS
Obudowa dokładna: SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
25300 szt.
ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 0,8820 | 0,4880 | 0,3240 | 0,2710 | 0,2520 |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: DMG2301L-7
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
285000 szt.
ilość szt. | 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,2520 |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: DMG2301L-7
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
1299000 szt.
ilość szt. | 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,2520 |
Rezystancja otwartego kanału: | 150mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 3A |
Maksymalna tracona moc: | 1,5W |
Obudowa: | SOT23 |
Producent: | DIODES |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
Typ tranzystora: | P-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 8V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Montaż: | SMD |