DMG2302UK Diodes
Symbol Micros:
TDMG2302uk
Obudowa: SOT23
Tranzystor N-MOSFET; 20V; 12V; 120mOhm; 2,8A; 660mW; -55°C ~ 150°C; DMG2302UK-7; DMG2302UK-13;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 120mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 2,8A |
Maksymalna tracona moc: | 660mW |
Obudowa: | SOT23 |
Producent: | DIODES |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: DMG2302UK-7 RoHS
Obudowa dokładna: SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
70 szt.
ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 2000+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 1,0200 | 0,5140 | 0,3100 | 0,2450 | 0,2260 |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: DMG2302UK-13
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
20000 szt.
ilość szt. | 10000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,2260 |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: DMG2302UK-7
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
84000 szt.
ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,2260 |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: DMG2302UK-13
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
20000 szt.
ilość szt. | 10000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,2260 |
Rezystancja otwartego kanału: | 120mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 2,8A |
Maksymalna tracona moc: | 660mW |
Obudowa: | SOT23 |
Producent: | DIODES |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 12V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Montaż: | SMD |