DMG2305UX

Symbol Micros: TDMG2305ux
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 200mOhm; 4,2A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: DMG2305UX-7; DMG2305UX-13;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 200mOhm
Maksymalny prąd drenu: 4,2A
Maksymalna tracona moc: 1,4W
Obudowa: SOT23
Producent: DIODES
Maksymalne napięcie dren-źródło: 20V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Producent: DIODES/ZETEX Symbol producenta: DMG2305UX-7 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
330 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,9080 0,4310 0,2430 0,1840 0,1650
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Producent: DIODES/ZETEX Symbol producenta: DMG2305UX-13 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
10000 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 2000+
cena netto (PLN) 0,9080 0,4300 0,2400 0,1820 0,1650
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10000
Producent: DIODES/ZETEX Symbol producenta: DMG2305UX-13 Obudowa dokładna: SOT23  
Magazyn zewnetrzny:
2677671 szt.
ilość szt. 10000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,1650
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: DIODES/ZETEX Symbol producenta: DMG2305UX-13 Obudowa dokładna: SOT23  
Magazyn zewnetrzny:
90000 szt.
ilość szt. 10000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,1650
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: DIODES/ZETEX Symbol producenta: DMG2305UX-7 Obudowa dokładna: SOT23  
Magazyn zewnetrzny:
1164000 szt.
ilość szt. 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,1650
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 200mOhm
Maksymalny prąd drenu: 4,2A
Maksymalna tracona moc: 1,4W
Obudowa: SOT23
Producent: DIODES
Maksymalne napięcie dren-źródło: 20V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 8V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD