DMG3414U Diodes
Symbol Micros:
TDMG3414u
Obudowa: SOT23
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 8V; 37mOhm; 4,2A; 780mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: DMG3414U-7;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 37mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 4,2A |
Maksymalna tracona moc: | 780mW |
Obudowa: | SOT23 |
Producent: | DIODES |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: DMG3414U RoHS
Obudowa dokładna: SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
500 szt.
ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 2000+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 1,3100 | 0,7240 | 0,4790 | 0,3990 | 0,3750 |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: DMG3414U-7
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt.
ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,4583 |
Rezystancja otwartego kanału: | 37mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 4,2A |
Maksymalna tracona moc: | 780mW |
Obudowa: | SOT23 |
Producent: | DIODES |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 8V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Montaż: | SMD |