DMG3414U Diodes

Symbol Micros: TDMG3414u
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 8V; 37mOhm; 4,2A; 780mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: DMG3414U-7;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 37mOhm
Maksymalny prąd drenu: 4,2A
Maksymalna tracona moc: 780mW
Obudowa: SOT23
Producent: DIODES
Maksymalne napięcie dren-źródło: 20V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: DIODES/ZETEX Symbol producenta: DMG3414U RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
500 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 2000+
cena netto (PLN) 1,3100 0,7240 0,4790 0,3990 0,3750
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Producent: DIODES/ZETEX Symbol producenta: DMG3414U-7 Obudowa dokładna: SOT23  
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt.
ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,4583
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 37mOhm
Maksymalny prąd drenu: 4,2A
Maksymalna tracona moc: 780mW
Obudowa: SOT23
Producent: DIODES
Maksymalne napięcie dren-źródło: 20V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 8V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD