DMG3415U Diodes
Symbol Micros:
TDMG3415u
Obudowa: SOT23
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 71mOhm; 4A; 900mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: DMG3415U-7;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 71mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 4A |
| Maksymalna tracona moc: | 900mW |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | DIODES |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: DMG3415U-7 RoHS
Obudowa dokładna: SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
2750 szt.
| ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,0800 | 0,5460 | 0,3310 | 0,2620 | 0,2390 |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: DMG3415U-7
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
18000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,2413 |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: DMG3415U-7
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
12000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,2850 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 71mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 4A |
| Maksymalna tracona moc: | 900mW |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | DIODES |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 8V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |