DMN2004DWK-7 Diodes

Symbol Micros: TDMN2004dwk
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT363
Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 20V; 8V; 900mOhm; 540mA; 200mW; -65°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 900mOhm
Maksymalny prąd drenu: 540mA
Maksymalna tracona moc: 200mW
Obudowa: SOT363
Producent: DIODES
Maksymalne napięcie dren-źródło: 20V
Typ tranzystora: 2xN-MOSFET
Producent: DIODES/ZETEX Symbol producenta: DMN2004DWK-7-R RoHS Obudowa dokładna: SOT363 t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
500 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 2000+
cena netto (PLN) 1,0400 0,5750 0,3810 0,3170 0,2980
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Producent: DIODES/ZETEX Symbol producenta: DMN2004DWK-7 Obudowa dokładna: SOT363  
Magazyn zewnetrzny:
300000 szt.
ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,4149
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: DIODES/ZETEX Symbol producenta: DMN2004DWK-7 Obudowa dokładna: SOT363  
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt.
ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,4257
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: DIODES/ZETEX Symbol producenta: DMN2004DWK-7 Obudowa dokładna: SOT363  
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt.
ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,4988
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 900mOhm
Maksymalny prąd drenu: 540mA
Maksymalna tracona moc: 200mW
Obudowa: SOT363
Producent: DIODES
Maksymalne napięcie dren-źródło: 20V
Typ tranzystora: 2xN-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 8V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Montaż: SMD