DMN2004DWK-7 Diodes
Symbol Micros:
TDMN2004dwk
Obudowa: SOT363
Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 20V; 8V; 900mOhm; 540mA; 200mW; -65°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 900mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 540mA |
Maksymalna tracona moc: | 200mW |
Obudowa: | SOT363 |
Producent: | DIODES |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
Typ tranzystora: | 2xN-MOSFET |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: DMN2004DWK-7-R RoHS
Obudowa dokładna: SOT363 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
500 szt.
ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 2000+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 1,0400 | 0,5750 | 0,3810 | 0,3170 | 0,2980 |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: DMN2004DWK-7
Obudowa dokładna: SOT363
Magazyn zewnetrzny:
300000 szt.
ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,4149 |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: DMN2004DWK-7
Obudowa dokładna: SOT363
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt.
ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,4257 |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: DMN2004DWK-7
Obudowa dokładna: SOT363
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt.
ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,4988 |
Rezystancja otwartego kanału: | 900mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 540mA |
Maksymalna tracona moc: | 200mW |
Obudowa: | SOT363 |
Producent: | DIODES |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
Typ tranzystora: | 2xN-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 8V |
Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
Montaż: | SMD |