DMN2004K-7 Diodes

Symbol Micros: TDMN2004k
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23-3
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 8V; 900mOhm; 630mA; 350mW; -65°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 900mOhm
Maksymalny prąd drenu: 630mA
Maksymalna tracona moc: 350mW
Obudowa: SOT23-3
Producent: DIODES
Maksymalne napięcie dren-źródło: 20V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: DIODES/ZETEX Symbol producenta: DMN2004K-7 Pbf NAB Obudowa dokładna: SOT23-3 t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
300 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 2000+
cena netto (PLN) 0,7260 0,3440 0,1920 0,1450 0,1320
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Producent: DIODES/ZETEX Symbol producenta: DMN2004K-7 Obudowa dokładna: SOT23-3  
Magazyn zewnetrzny:
15000 szt.
ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,2382
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: DIODES/ZETEX Symbol producenta: DMN2004K-7 Obudowa dokładna: SOT23-3  
Magazyn zewnetrzny:
12000 szt.
ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,2519
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: DIODES/ZETEX Symbol producenta: DMN2004K-7 Obudowa dokładna: SOT23-3  
Magazyn zewnetrzny:
207000 szt.
ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,2578
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 900mOhm
Maksymalny prąd drenu: 630mA
Maksymalna tracona moc: 350mW
Obudowa: SOT23-3
Producent: DIODES
Maksymalne napięcie dren-źródło: 20V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 8V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Montaż: SMD