DMN2004K-7 Diodes
Symbol Micros:
TDMN2004k
Obudowa: SOT23-3
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 8V; 900mOhm; 630mA; 350mW; -65°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 900mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 630mA |
Maksymalna tracona moc: | 350mW |
Obudowa: | SOT23-3 |
Producent: | DIODES |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: DMN2004K-7 Pbf NAB
Obudowa dokładna: SOT23-3 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
300 szt.
ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 2000+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 0,7260 | 0,3440 | 0,1920 | 0,1450 | 0,1320 |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: DMN2004K-7
Obudowa dokładna: SOT23-3
Magazyn zewnetrzny:
15000 szt.
ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,2382 |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: DMN2004K-7
Obudowa dokładna: SOT23-3
Magazyn zewnetrzny:
12000 szt.
ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,2519 |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: DMN2004K-7
Obudowa dokładna: SOT23-3
Magazyn zewnetrzny:
207000 szt.
ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,2578 |
Rezystancja otwartego kanału: | 900mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 630mA |
Maksymalna tracona moc: | 350mW |
Obudowa: | SOT23-3 |
Producent: | DIODES |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 8V |
Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
Montaż: | SMD |