DMN2056U-7
Symbol Micros:
TDMN2056U-7 Diodes
Obudowa: SOT23
Tranzystor N-MOSFET; 20V; 8V; 38mOhm; 4A; 660mW; -55°C~150°C; Odpowiednik: DMN2056U-13;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 38mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 4A |
Maksymalna tracona moc: | 660mW |
Obudowa: | SOT23 |
Producent: | DIODES |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: DMN2056U-7 RoHS
Obudowa dokładna: SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 1,0700 | 0,5950 | 0,3950 | 0,3300 | 0,3070 |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: DMN2056U-13
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
30000 szt.
ilość szt. | 10000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,3070 |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: DMN2056U-13
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
10000 szt.
ilość szt. | 10000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,3070 |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: DMN2056U-13
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
40000 szt.
ilość szt. | 10000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,3070 |
Rezystancja otwartego kanału: | 38mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 4A |
Maksymalna tracona moc: | 660mW |
Obudowa: | SOT23 |
Producent: | DIODES |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 8V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Montaż: | SMD |