DMN2075U-7 Diodes

Symbol Micros: TDMN2075u
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 8V; 45mOhm; 4,2A; 800mW; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 45mOhm
Maksymalny prąd drenu: 4,2A
Maksymalna tracona moc: 800mW
Obudowa: SOT23
Producent: DIODES
Maksymalne napięcie dren-źródło: 20V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: DIODES/ZETEX Symbol producenta: DMN2075U-7 Obudowa dokładna: SOT23  
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt.
ilość szt. 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,1628
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: DIODES/ZETEX Symbol producenta: DMN2075U-7 Obudowa dokładna: SOT23  
Magazyn zewnetrzny:
48000 szt.
ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,1761
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: DIODES/ZETEX Symbol producenta: DMN2075U-7 Obudowa dokładna: SOT23  
Magazyn zewnetrzny:
30000 szt.
ilość szt. 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,1467
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 45mOhm
Maksymalny prąd drenu: 4,2A
Maksymalna tracona moc: 800mW
Obudowa: SOT23
Producent: DIODES
Maksymalne napięcie dren-źródło: 20V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 8V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD