DMN2075U-7 Diodes
Symbol Micros:
TDMN2075u
Obudowa: SOT23
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 8V; 45mOhm; 4,2A; 800mW; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 45mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 4,2A |
Maksymalna tracona moc: | 800mW |
Obudowa: | SOT23 |
Producent: | DIODES |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: DMN2075U-7
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt.
ilość szt. | 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,1628 |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: DMN2075U-7
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
48000 szt.
ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,1761 |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: DMN2075U-7
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
30000 szt.
ilość szt. | 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,1467 |
Rezystancja otwartego kanału: | 45mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 4,2A |
Maksymalna tracona moc: | 800mW |
Obudowa: | SOT23 |
Producent: | DIODES |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 8V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Montaż: | SMD |