DMN2230U-7 Diodes

Symbol Micros: TDMN2230u
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23-3
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 230mOhm; 2A; 600mW; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 230mOhm
Maksymalny prąd drenu: 2A
Maksymalna tracona moc: 600mW
Obudowa: SOT23-3
Producent: DIODES
Maksymalne napięcie dren-źródło: 20V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: DIODES/ZETEX Symbol producenta: DMN2230U-7 RoHS Obudowa dokładna: SOT23-3 t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
185 szt.
ilość szt. 3+ 20+ 100+ 500+ 2000+
cena netto (PLN) 1,0500 0,5630 0,4380 0,3960 0,3830
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Rezystancja otwartego kanału: 230mOhm
Maksymalny prąd drenu: 2A
Maksymalna tracona moc: 600mW
Obudowa: SOT23-3
Producent: DIODES
Maksymalne napięcie dren-źródło: 20V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 12V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD