DMN2230UQ-7 Diodes
Symbol Micros:
TDMN2230uq
Obudowa: SOT23
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 230mOhm; 2A; 600mW; -55°C ~ 150°C; DMN2230UQ-13;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 230mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 2A |
| Maksymalna tracona moc: | 600mW |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | DIODES |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: DMN2230UQ-7 RoHS
Obudowa dokładna: SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
846 szt.
| ilość szt. | 3+ | 20+ | 100+ | 300+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,2600 | 0,6680 | 0,5180 | 0,4780 | 0,4580 |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: DMN2230UQ-7
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,4580 |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: DMN2230UQ-7
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
9000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,4580 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 230mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 2A |
| Maksymalna tracona moc: | 600mW |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | DIODES |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 12V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |