DMN4026SSDQ-13 Diodes

Symbol Micros: TDMN4026ssdq
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOIC08
Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 40V; 20V; 32mOhm; 7A; 1,8W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 32mOhm
Maksymalny prąd drenu: 7A
Maksymalna tracona moc: 1,8W
Obudowa: SOIC08
Producent: DIODES
Maksymalne napięcie dren-źródło: 40V
Typ tranzystora: 2xN-MOSFET
Producent: DIODES/ZETEX Symbol producenta: DMN4026SSDQ-13 RoHS Obudowa dokładna: SOIC08t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
90 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 3,9100 2,4500 2,0400 1,8100 1,7000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Rezystancja otwartego kanału: 32mOhm
Maksymalny prąd drenu: 7A
Maksymalna tracona moc: 1,8W
Obudowa: SOIC08
Producent: DIODES
Maksymalne napięcie dren-źródło: 40V
Typ tranzystora: 2xN-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD