DMN6040SSS-13

Symbol Micros: TDMN6040SSS-13 Diodes
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOP08
Tranzystor N-MOSFET; 60V; 20V; 55mOhm; 5,5A; 2W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 55mOhm
Maksymalny prąd drenu: 5,5A
Maksymalna tracona moc: 2W
Obudowa: SOP08
Producent: DIODES
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: DIODES/ZETEX Symbol producenta: DMN6040SSS-13 Obudowa dokładna: SOP08  
Magazyn zewnetrzny:
105000 szt.
ilość szt. 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,5771
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: DIODES/ZETEX Symbol producenta: DMN6040SSS-13 Obudowa dokładna: SOP08  
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt.
ilość szt. 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,5407
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 55mOhm
Maksymalny prąd drenu: 5,5A
Maksymalna tracona moc: 2W
Obudowa: SOP08
Producent: DIODES
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD