DMN6068LK3-13 TO-252-3
Symbol Micros:
TDMN6068lk3
Obudowa: TO252
N-MOSFET 60V 8.5A 2.12W
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 68mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 8,5A |
| Maksymalna tracona moc: | 2,12W |
| Obudowa: | TO252 |
| Producent: | DIODES |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: DMN6068LK3-13
Obudowa dokładna: TO252
Magazyn zewnetrzny:
7500 szt.
| ilość szt. | 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,6762 |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: DMN6068LK3-13
Obudowa dokładna: TO252
Magazyn zewnetrzny:
22500 szt.
| ilość szt. | 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,7794 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 68mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 8,5A |
| Maksymalna tracona moc: | 2,12W |
| Obudowa: | TO252 |
| Producent: | DIODES |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |