DMP2305U-7 Diodes

Symbol Micros: TDMP2305u
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 113mOhm; 4,2A; 1,4W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 113mOhm
Maksymalny prąd drenu: 4,2A
Maksymalna tracona moc: 1,4W
Obudowa: SOT23
Producent: DIODES
Maksymalne napięcie dren-źródło: 20V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Producent: DIODES/ZETEX Symbol producenta: DMP2305U-7 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
2900 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,8960 0,4540 0,2750 0,2180 0,1990
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Producent: DIODES/ZETEX Symbol producenta: DMP2305U-7 RoHS 23P. Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
70 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,8960 0,4540 0,2750 0,2180 0,1990
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Producent: DIODES/ZETEX Symbol producenta: DMP2305U-7 Obudowa dokładna: SOT23  
Magazyn zewnetrzny:
867000 szt.
ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,1990
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: DIODES/ZETEX Symbol producenta: DMP2305U-7 Obudowa dokładna: SOT23  
Magazyn zewnetrzny:
90000 szt.
ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,1990
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: DIODES/ZETEX Symbol producenta: DMP2305U-7 Obudowa dokładna: SOT23  
Magazyn zewnetrzny:
924000 szt.
ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,2124
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 113mOhm
Maksymalny prąd drenu: 4,2A
Maksymalna tracona moc: 1,4W
Obudowa: SOT23
Producent: DIODES
Maksymalne napięcie dren-źródło: 20V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 8V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD