DTC123JET1G ONSemiconductor
Symbol Micros:
TDTC123jet
Obudowa: SC75-3 (SOT416)
Tranzystor NPN; 140; 300mW; 50V; 100mA; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Moc strat: | 300mW |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 140 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Obudowa: | SC75-3 (SOT416) |
| Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 50V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: DTC123JET1G RoHS 8M.
Obudowa dokładna: SC75-3 (SOT416)
karta katalogowa
Stan magazynowy:
500 szt.
| ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 2000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,5040 | 0,2300 | 0,1250 | 0,0929 | 0,0840 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: DTC123JET1G
Obudowa dokładna: SC75-3 (SOT416)
Magazyn zewnetrzny:
15000 szt.
| ilość szt. | 9000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,0840 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: DTC123JET1G
Obudowa dokładna: SC75-3 (SOT416)
Magazyn zewnetrzny:
141000 szt.
| ilość szt. | 9000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,0840 |
| Moc strat: | 300mW |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 140 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Obudowa: | SC75-3 (SOT416) |
| Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 50V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | NPN |