FCD5N60TM
Symbol Micros:
TFCD5n60tm
Obudowa: TO252 (DPACK)
Tranzystor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 950mOhm; 4,6A; 54W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 950mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 4,6A |
| Maksymalna tracona moc: | 54W |
| Obudowa: | TO252 (DPACK) |
| Producent: | Fairchild |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 600V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Fairchild
Symbol producenta: FCD5N60TM RoHS
Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) t/r
Stan magazynowy:
100 szt.
| ilość szt. | 1+ | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 3,9500 | 2,6300 | 2,1700 | 1,9600 | 1,8800 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FCD5N60TM
Obudowa dokładna: TO252 (DPACK)
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt.
| ilość szt. | 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 3,2652 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 950mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 4,6A |
| Maksymalna tracona moc: | 54W |
| Obudowa: | TO252 (DPACK) |
| Producent: | Fairchild |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 600V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 30V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |