FCPF11N60
Symbol Micros:
TFCPF11N60
Obudowa: TO220FP
Tranzystor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 380mOhm; 11A; 36W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 380mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 11A |
| Maksymalna tracona moc: | 36W |
| Obudowa: | TO220FP |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 650V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FCPF11N60 RoHS
Obudowa dokładna: TO220FP
Stan magazynowy:
30 szt.
| ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 9,4800 | 7,9500 | 7,0700 | 6,5200 | 6,3200 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FCPF11N60
Obudowa dokładna: TO220FP
Magazyn zewnetrzny:
150 szt.
| ilość szt. | 150+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 6,3200 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FCPF11N60
Obudowa dokładna: TO220FP
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt.
| ilość szt. | 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 6,3200 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 380mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 11A |
| Maksymalna tracona moc: | 36W |
| Obudowa: | TO220FP |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 650V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 30V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | THT |