FDB045AN08A0
Symbol Micros:
TFDB045AN08A0
Obudowa: TO263 (D2PAK)
N-MOSFET 90A 75V 310W 0.0045Ω
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 4,5mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 80A |
| Maksymalna tracona moc: | 310W |
| Obudowa: | TO263 (D2PAK) |
| Producent: | Fairchild |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 75V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FDB045AN08A0
Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK)
Magazyn zewnetrzny:
2400 szt.
| ilość szt. | 800+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 7,7914 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FDB045AN08A0
Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK)
Magazyn zewnetrzny:
800 szt.
| ilość szt. | 61+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 8,1192 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 4,5mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 80A |
| Maksymalna tracona moc: | 310W |
| Obudowa: | TO263 (D2PAK) |
| Producent: | Fairchild |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 75V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | SMD |