FDB13AN06A0
Symbol Micros:
TFDB13AN06A0
Obudowa: D2PAK
Tranzystor N-MOSFET; 60V; 10V; 13,5mOhm; 62A; 115W; -55°C ~ 175°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 13,5mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 62A |
| Maksymalna tracona moc: | 15W |
| Obudowa: | DPAK |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FDB13AN06A0 RoHS
Obudowa dokładna: D2PAK t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
194 szt.
| ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 10,7500 | 8,8000 | 7,6800 | 6,9800 | 6,7200 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FDB13AN06A0
Obudowa dokładna: D2PAK
Magazyn zewnetrzny:
22400 szt.
| ilość szt. | 800+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 6,7200 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 13,5mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 62A |
| Maksymalna tracona moc: | 15W |
| Obudowa: | DPAK |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 10V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | SMA |