FDB2532
Symbol Micros:
TFDB2532
Obudowa: TO263 (D2PAK)
N-MOSFET 79A 150V 310W 0.016Ω
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 16mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 79A |
| Maksymalna tracona moc: | 310W |
| Obudowa: | TO263 |
| Producent: | Fairchild |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 150V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FDB2532
Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK)
Magazyn zewnetrzny:
4000 szt.
| ilość szt. | 800+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 5,2283 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FDB2532
Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK)
Magazyn zewnetrzny:
8800 szt.
| ilość szt. | 800+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 5,1028 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FDB2532
Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK)
Magazyn zewnetrzny:
389600 szt.
| ilość szt. | 69+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 7,1843 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 16mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 79A |
| Maksymalna tracona moc: | 310W |
| Obudowa: | TO263 |
| Producent: | Fairchild |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 150V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | SMD |