FDB2572
Symbol Micros:
TFDB2572
Obudowa: D2PAK
N-MOSFET 29A 150V 135W 0.054Ω
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 54mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 29A |
| Maksymalna tracona moc: | 135W |
| Obudowa: | D2PAK |
| Producent: | Fairchild |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 150V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FDB2572
Obudowa dokładna: D2PAK
Magazyn zewnetrzny:
11200 szt.
| ilość szt. | 800+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 4,0055 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FDB2572
Obudowa dokładna: D2PAK
Magazyn zewnetrzny:
800 szt.
| ilość szt. | 800+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 4,1826 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 54mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 29A |
| Maksymalna tracona moc: | 135W |
| Obudowa: | D2PAK |
| Producent: | Fairchild |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 150V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | SMD |