FDB2710

Symbol Micros: TFDB2710
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: D2PAK
N-MOSFET 50A 250V 260W 0.0425Ω
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 42,5mOhm
Maksymalny prąd drenu: 50A
Maksymalna tracona moc: 260W
Obudowa: D2PAK
Producent: Fairchild
Maksymalne napięcie dren-źródło: 250V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: FDB2710 Obudowa dokładna: D2PAK  
Magazyn zewnętrzny:
800 szt.
ilość szt. 800+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 10,3087
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
800
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 42,5mOhm
Maksymalny prąd drenu: 50A
Maksymalna tracona moc: 260W
Obudowa: D2PAK
Producent: Fairchild
Maksymalne napięcie dren-źródło: 250V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 30V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD