FDB3632
Symbol Micros:
TFDB3632
Obudowa: TO263 (D2PAK)
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 22mOhm; 80A; 310W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: FDB3632-F085; FDB3632-F101; FDB3632_F085;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 22mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 80A |
| Maksymalna tracona moc: | 310W |
| Obudowa: | TO263 (D2PAK) |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FDB3632
Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK)
Magazyn zewnetrzny:
150400 szt.
| ilość szt. | 800+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 6,4462 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FDB3632
Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK)
Magazyn zewnetrzny:
74400 szt.
| ilość szt. | 800+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 6,4462 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 22mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 80A |
| Maksymalna tracona moc: | 310W |
| Obudowa: | TO263 (D2PAK) |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | SMD |