FDB3652
Symbol Micros:
TFDB3652
Obudowa: TO263 (D2PAK)
N-MOSFET 61A 100V 150W 0.016Ω
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 16mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 61A |
| Maksymalna tracona moc: | 150W |
| Obudowa: | TO263 (D2PAK) |
| Producent: | Fairchild |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FDB3652
Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK)
Magazyn zewnetrzny:
12800 szt.
| ilość szt. | 800+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 4,0861 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 16mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 61A |
| Maksymalna tracona moc: | 150W |
| Obudowa: | TO263 (D2PAK) |
| Producent: | Fairchild |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | SMD |