FDB3682

Symbol Micros: TFDB3682
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO263 (D2PAK)
N-MOSFET 32A 100V 95W 0.036Ω
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 36mOhm
Maksymalny prąd drenu: 32A
Maksymalna tracona moc: 95W
Obudowa: TO263 (D2PAK)
Producent: Fairchild
Maksymalne napięcie dren-źródło: 100V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: FDB3682 Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK)  
Magazyn zewnetrzny:
800 szt.
ilość szt. 800+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 4,3961
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
800
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 36mOhm
Maksymalny prąd drenu: 32A
Maksymalna tracona moc: 95W
Obudowa: TO263 (D2PAK)
Producent: Fairchild
Maksymalne napięcie dren-źródło: 100V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: SMD