FDC5614P
Symbol Micros:
TFDC5614P
Obudowa: SSOT6L
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 190mOhm; 3A; 1,6W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 190mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 3A |
| Maksymalna tracona moc: | 1,6W |
| Obudowa: | SSOT6L |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FDC5614P
Obudowa dokładna: SSOT6L
Magazyn zewnetrzny:
192000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,8261 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FDC5614P
Obudowa dokładna: SSOT6L
Magazyn zewnetrzny:
534000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,8365 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FDC5614P
Obudowa dokładna: SSOT6L
Magazyn zewnetrzny:
714000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,8365 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 190mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 3A |
| Maksymalna tracona moc: | 1,6W |
| Obudowa: | SSOT6L |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |