FDC6310P

Symbol Micros: TFDC6310P
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TSOT23-6
2P-MOSFET 2.2A 20V 0.7W 0.125Ω
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 125mOhm
Maksymalny prąd drenu: 2,2A
Maksymalna tracona moc: 700mW
Obudowa: TSOT23-6
Producent: Fairchild
Maksymalne napięcie dren-źródło: 20V
Typ tranzystora: 2xP-MOSFET
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: FDC6310P Obudowa dokładna: TSOT23-6  
Magazyn zewnetrzny:
18000 szt.
ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,9101
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 125mOhm
Maksymalny prąd drenu: 2,2A
Maksymalna tracona moc: 700mW
Obudowa: TSOT23-6
Producent: Fairchild
Maksymalne napięcie dren-źródło: 20V
Typ tranzystora: 2xP-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 12V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD