FDC6312P
Symbol Micros:
TFDC6312P
Obudowa: TSOT23-6
Tranzystor 2xP-Channel MOSFET; 20V; 8V; 225mOhm; 2,3A; 960mW; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 225mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 2,3A |
| Maksymalna tracona moc: | 960mW |
| Obudowa: | TSOT23-6 |
| Producent: | Fairchild |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | 2xP-MOSFET |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FDC6312P
Obudowa dokładna: TSOT23-6
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,1530 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FDC6312P
Obudowa dokładna: TSOT23-6
Magazyn zewnetrzny:
12000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,2332 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 225mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 2,3A |
| Maksymalna tracona moc: | 960mW |
| Obudowa: | TSOT23-6 |
| Producent: | Fairchild |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | 2xP-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 8V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |