FDC6401N
Symbol Micros:
TFDC6401N
Obudowa: TSOT23-6
2N-MOSFET 3A 20V 0.7W 0.07Ω
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 70mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 3A |
| Maksymalna tracona moc: | 700mW |
| Obudowa: | TSOT23-6 |
| Producent: | Fairchild |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | 2xN-MOSFET |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FDC6401N
Obudowa dokładna: TSOT23-6
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,9822 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FDC6401N
Obudowa dokładna: TSOT23-6
Magazyn zewnetrzny:
39000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,0359 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FDC6401N
Obudowa dokładna: TSOT23-6
Magazyn zewnetrzny:
204000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,9865 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 70mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 3A |
| Maksymalna tracona moc: | 700mW |
| Obudowa: | TSOT23-6 |
| Producent: | Fairchild |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | 2xN-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 12V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |