FDD120AN15A0 ON Semiconductor
Symbol Micros:
TFDD120an15a0
Obudowa: DPAK
Tranzystor N-Channel MOSFET; 150V; 20V; 302mOhm; 14A; 65W; -55°C ~ 175°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 302mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 14A |
| Maksymalna tracona moc: | 65W |
| Obudowa: | DPAK |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 150V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Fairchild
Symbol producenta: FDD120AN15A0 RoHS
Obudowa dokładna: DPAK t/r
Stan magazynowy:
10 szt.
| ilość szt. | 1+ | 5+ | 10+ | 50+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 4,1600 | 2,7400 | 2,4500 | 2,1000 | 1,9800 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FDD120AN15A0
Obudowa dokładna: DPAK
Magazyn zewnetrzny:
7500 szt.
| ilość szt. | 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,9800 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 302mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 14A |
| Maksymalna tracona moc: | 65W |
| Obudowa: | DPAK |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 150V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | SMD |