FDD13AN06A0 ON Semiconductor
Symbol Micros:
TFDD13an06a0
Obudowa: DPAK
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 34mOhm; 50A; 115W; -55°C ~ 175°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 34mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 50A |
| Maksymalna tracona moc: | 115W |
| Obudowa: | DPAK |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Fairchild
Symbol producenta: FDD13AN06A0 RoHS
Obudowa dokładna: DPAK t/r
Stan magazynowy:
10 szt.
| ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 30+ | 100+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 7,2300 | 5,7300 | 4,8800 | 4,4800 | 4,2500 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 34mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 50A |
| Maksymalna tracona moc: | 115W |
| Obudowa: | DPAK |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | SMD |