FDD2572 FAIRCHAILD
Symbol Micros:
TFDD2572
Obudowa: TO252 (DPACK)
N-MOSFET 150V 4A 135W 54mΩ
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 54mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 4A |
| Maksymalna tracona moc: | 135W |
| Obudowa: | TO252 (DPACK) |
| Producent: | Fairchild |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 150V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FDD2572
Obudowa dokładna: TO252 (DPACK)
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt.
| ilość szt. | 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 4,0189 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FDD2572
Obudowa dokładna: TO252 (DPACK)
Magazyn zewnetrzny:
10000 szt.
| ilość szt. | 120+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 4,1188 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 54mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 4A |
| Maksymalna tracona moc: | 135W |
| Obudowa: | TO252 (DPACK) |
| Producent: | Fairchild |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 150V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | SMD |