FDD3672 ON Semiconductor
Symbol Micros:
TFDD3672
Obudowa: DPAK
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 68mOhm; 44A; 135W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: FDD3672; FDD3672-F085; FDD3672_F085;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 68mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 44A |
| Maksymalna tracona moc: | 135W |
| Obudowa: | DPAK |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FDD3672
Obudowa dokładna: DPAK
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt.
| ilość szt. | 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 3,1464 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 68mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 44A |
| Maksymalna tracona moc: | 135W |
| Obudowa: | DPAK |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | SMD |