FDD3706 ON Semiconductor
Symbol Micros:
TFDD3706
Obudowa: DPAK
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 19mOhm; 50A; 44W; -55°C ~ 175°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 19mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 50A |
| Maksymalna tracona moc: | 44W |
| Obudowa: | DPAK |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FDD3706 RoHS
Obudowa dokładna: DPAK
Stan magazynowy:
8 szt.
| ilość szt. | 1+ | 5+ | 10+ | 50+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 3,8900 | 2,5600 | 2,2900 | 1,9600 | 1,8500 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 19mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 50A |
| Maksymalna tracona moc: | 44W |
| Obudowa: | DPAK |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 12V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | SMD |