FDD6637 ON Semiconductor
Symbol Micros:
TFDD6637
Obudowa: DPAK
Tranzystor P-Channel MOSFET; 35V; 25V; 19mOhm; 55A; 57W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 19mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 55A |
| Maksymalna tracona moc: | 57W |
| Obudowa: | DPAK |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 35V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FDD6637
Obudowa dokładna: DPAK
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt.
| ilość szt. | 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,7727 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FDD6637
Obudowa dokładna: DPAK
Magazyn zewnetrzny:
12500 szt.
| ilość szt. | 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,0323 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FDD6637
Obudowa dokładna: DPAK
Magazyn zewnetrzny:
45000 szt.
| ilość szt. | 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,8363 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 19mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 55A |
| Maksymalna tracona moc: | 57W |
| Obudowa: | DPAK |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 35V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 25V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |