FDD7N25LZTM
Symbol Micros:
TFDD7n25lztm
Obudowa: TO252
Tranzystor N-Channel MOSFET; 250V; 20V; 570mOhm; 6,2A; 56W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 570mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 6,2A |
| Maksymalna tracona moc: | 56W |
| Obudowa: | TO252 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 250V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FDD7N25LZTM RoHS
Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
15 szt.
| ilość szt. | 1+ | 5+ | 20+ | 100+ | 270+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 4,8500 | 3,3800 | 2,8700 | 2,6200 | 2,5500 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FDD7N25LZTM
Obudowa dokładna: TO252
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt.
| ilość szt. | 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,5500 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 570mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 6,2A |
| Maksymalna tracona moc: | 56W |
| Obudowa: | TO252 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 250V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |