FDD86102LZ
Symbol Micros:
TFDD86102lz
Obudowa: TO252
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 40mOhm; 35A; 54W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 40mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 35A |
| Maksymalna tracona moc: | 54W |
| Obudowa: | TO252 |
| Producent: | Fairchild |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Fairchild
Symbol producenta: FDD86102LZ RoHS
Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) t/r
Stan magazynowy:
10 szt.
| ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 5,2600 | 4,0200 | 3,3200 | 2,9100 | 2,7700 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 40mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 35A |
| Maksymalna tracona moc: | 54W |
| Obudowa: | TO252 |
| Producent: | Fairchild |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |