FDD86252 ON Semiconductor
Symbol Micros:
TFDD86252
Obudowa: DPAK
Tranzystor N-Channel MOSFET; 150V; 20V; 103mOhm; 27A; 89W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 103mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 27A |
| Maksymalna tracona moc: | 89W |
| Obudowa: | DPAK |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 150V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FDD86252 RoHS
Obudowa dokładna: DPAK t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
10 szt.
| ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 6,5400 | 4,9900 | 4,1300 | 3,6200 | 3,4400 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FDD86252
Obudowa dokładna: DPAK
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt.
| ilość szt. | 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 3,4400 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 103mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 27A |
| Maksymalna tracona moc: | 89W |
| Obudowa: | DPAK |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 150V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |