FDL100N50F
Symbol Micros:
TFDL100n50f
Obudowa: TO264
Tranzystor N-Channel MOSFET; 500V; +/-30V; 43mOhm; 100A; 2,5kW; -55°C~150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 43mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 100A |
| Maksymalna tracona moc: | 2,5kW |
| Obudowa: | TO264 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 500V |
| Typ tranzystora: | MOSFET |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FDL100N50F RoHS
Obudowa dokładna: TO264
Stan magazynowy:
20 szt.
| ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 20+ | 40+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 83,1600 | 72,2900 | 65,2200 | 62,6100 | 60,7000 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FDL100N50F
Obudowa dokładna: TO264
Magazyn zewnetrzny:
100 szt.
| ilość szt. | 25+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 60,7000 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FDL100N50F
Obudowa dokładna: TO264
Magazyn zewnetrzny:
467 szt.
| ilość szt. | 375+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 60,7000 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 43mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 100A |
| Maksymalna tracona moc: | 2,5kW |
| Obudowa: | TO264 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 500V |
| Typ tranzystora: | MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 30V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 125°C |
| Montaż: | THT |