FDN302P
Symbol Micros:
TFDN302p
Obudowa: SSOT3
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 84mOhm; 2,4A; 500mW; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 84mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 2,4A |
| Maksymalna tracona moc: | 500mW |
| Obudowa: | SSOT3 |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 12V |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FDN302P RoHS .302..
Obudowa dokładna: SSOT3
Stan magazynowy:
480 szt.
| ilość szt. | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 500+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,3800 | 1,4300 | 1,0900 | 0,9840 | 0,9500 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FDN302P
Obudowa dokładna: SSOT3
Magazyn zewnetrzny:
12000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,9500 |
Producent: Fairchild
Symbol producenta: FDN302P
Obudowa dokładna: SSOT3
Magazyn zewnetrzny:
45000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,9500 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 84mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 2,4A |
| Maksymalna tracona moc: | 500mW |
| Obudowa: | SSOT3 |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 12V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |