FDN335N
Symbol Micros:
TFDN335n
Obudowa: SOT23
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 8V; 120mOhm; 1,7A; 500mW; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 120mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 1,7A |
| Maksymalna tracona moc: | 500mW |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FDN335N RoHS
Obudowa dokładna: SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
498 szt.
| ilość szt. | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 500+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,9000 | 1,1400 | 0,8740 | 0,7870 | 0,7600 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FDN335N
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
15000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,7600 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FDN335N
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
51000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,7600 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 120mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 1,7A |
| Maksymalna tracona moc: | 500mW |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 8V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |