FDN336P
Symbol Micros:
TFDN336p
Obudowa: SuperSOT3
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 320mOhm; 1,3A; 500mW; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 320mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 1,3A |
| Maksymalna tracona moc: | 500mW |
| Obudowa: | SuperSOT3 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FDN336P RoHS
Obudowa dokładna: SuperSOT3
Stan magazynowy:
200 szt.
| ilość szt. | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,3200 | 0,8420 | 0,5910 | 0,5130 | 0,4800 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FDN336P
Obudowa dokładna: SuperSOT3
Magazyn zewnetrzny:
9000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,5531 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FDN336P
Obudowa dokładna: SuperSOT3
Magazyn zewnetrzny:
36000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,5254 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 320mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 1,3A |
| Maksymalna tracona moc: | 500mW |
| Obudowa: | SuperSOT3 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 8V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |