FDN337N
Symbol Micros:
TFDN337n
Obudowa: SOT23-3
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 8V; 110mOhm; 2,2A; 500mW; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 110mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 2,2A |
| Maksymalna tracona moc: | 500mW |
| Obudowa: | SOT23-3 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Fairchild
Symbol producenta: FDN337N RoHS
Obudowa dokładna: SOT23-3 t/r
Stan magazynowy:
218 szt.
| ilość szt. | 3+ | 10+ | 50+ | 300+ | 1253+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,4300 | 0,9380 | 0,6730 | 0,5760 | 0,5500 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FDN337N
Obudowa dokładna: SOT23-3
Magazyn zewnetrzny:
450000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,5500 |
Producent: Fairchild
Symbol producenta: FDN337N
Obudowa dokładna: SOT23-3
Magazyn zewnetrzny:
1842000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,5500 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 110mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 2,2A |
| Maksymalna tracona moc: | 500mW |
| Obudowa: | SOT23-3 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 8V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |