FDN338P
Symbol Micros:
TFDN338p
Obudowa: SSOT3
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 165mOhm; 1,6A; 500mW; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 165mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 1,6A |
| Maksymalna tracona moc: | 500mW |
| Obudowa: | SSOT3 |
| Producent: | Fairchild |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
| Rezystancja otwartego kanału: | 165mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 1,6A |
| Maksymalna tracona moc: | 500mW |
| Obudowa: | SSOT3 |
| Producent: | Fairchild |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 8V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |
Odpowiedniki
FDN338P UMW
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 142mOhm; 2,8A; 400mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: FDN338P Onsemi;
Producent:
UMW
Symbol producenta:
FDN338P RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
Stan magazynowy
3000 szt.
| Ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
| cena netto (PLN) | 0,8530 | 0,4050 | 0,2280 | 0,1730 | 0,1550 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)
FDN338P JSMICRO
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 210mOhm; 1,6A; 350mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: FDN338P Onsemi;
Producent:
JSMicro Semiconductor
Symbol producenta:
FDN338P RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
Stan magazynowy
740 szt.
| Ilość szt. | 5+ | 30+ | 150+ | 740+ | 3700+ |
| cena netto (PLN) | 0,6880 | 0,2740 | 0,1680 | 0,1350 | 0,1250 |
Sposób pakowania: 740
Ilość (wielokrotność 1)
Producent:
JSMicro Semiconductor
Symbol producenta:
FDN338P RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
Stan magazynowy
260 szt.
| Ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 260+ | 1300+ |
| cena netto (PLN) | 0,6880 | 0,3240 | 0,1800 | 0,1470 | 0,1250 |
Sposób pakowania: 260
Ilość (wielokrotność 1)