FDN338P SOT23 MSKSEMI

Symbol Micros: TFDN338p MSK
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 150mOhm; 2A; 1,56W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 150mOhm
Maksymalny prąd drenu: 2A
Maksymalna tracona moc: 1,56W
Obudowa: SOT23
Producent: MSK
Maksymalne napięcie dren-źródło: 20V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: MSKSEMI Symbol producenta: FDN338P RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 0,8420 0,4220 0,2510 0,2080 0,1870
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Rezystancja otwartego kanału: 150mOhm
Maksymalny prąd drenu: 2A
Maksymalna tracona moc: 1,56W
Obudowa: SOT23
Producent: MSK
Maksymalne napięcie dren-źródło: 20V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 12V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD