FDN338P-NL SOT23-3 VBsemi Elec
Symbol Micros:
TFDN338p VBS
Obudowa: SOT23
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 35mOhm; 5A; 2,5W; -55°C~150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 35mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 5A |
| Maksymalna tracona moc: | 2,5W |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | VBS |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
| Maksymalne napięcie dren-bramka: | 10V |
| Rezystancja otwartego kanału: | 35mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 5A |
| Maksymalna tracona moc: | 2,5W |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | VBS |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
| Maksymalne napięcie dren-bramka: | 10V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 12V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |