FDN339AN ON SEMICONDUCTOR (FAIRCHILD)
Symbol Micros:
TFDN339an
Obudowa: SuperSOT3
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 8V; 61mOhm; 3A; 500mW; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 61mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 3A |
| Maksymalna tracona moc: | 500mW |
| Obudowa: | SuperSOT3 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FDN339AN RoHS
Obudowa dokładna: SuperSOT3
karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
| ilość szt. | 3+ | 20+ | 100+ | 300+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,7500 | 0,9640 | 0,7580 | 0,7020 | 0,6730 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FDN339AN
Obudowa dokładna: SuperSOT3
Magazyn zewnętrzny:
3000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Nieodpowiednia ilość? Zapytaj o inną.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,6730 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FDN339AN
Obudowa dokładna: SuperSOT3
Magazyn zewnętrzny:
30000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Nieodpowiednia ilość? Zapytaj o inną.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,6730 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 61mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 3A |
| Maksymalna tracona moc: | 500mW |
| Obudowa: | SuperSOT3 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 8V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |