FDN339AN ON SEMICONDUCTOR (FAIRCHILD)
Symbol Micros:
TFDN339an
Obudowa: SuperSOT3
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 8V; 61mOhm; 3A; 500mW; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 61mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 3A |
| Maksymalna tracona moc: | 500mW |
| Obudowa: | SuperSOT3 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Rezystancja otwartego kanału: | 61mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 3A |
| Maksymalna tracona moc: | 500mW |
| Obudowa: | SuperSOT3 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 8V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |